[发明专利]氮化镓器件介质生长方法及系统

摘要

本发明提供一种氮化镓GaN器件介质生长方法及系统，氮化镓器件介质生长过程中的高温感应耦合等离子体刻蚀工艺、远程等离子体修饰工艺及沉积工艺之间的转移通过集簇式封闭传送系统进行传送，从而能够在无氧传送环境中在各种工艺系统之间转移，有效避免材料表面的氧化、碳化、酸碱沾污等问题，同时无氧传输环境中的刻蚀工艺采用高温感应耦合等离子体刻蚀，有利于形成低界面态的器件。

主权项

一种氮化镓GaN器件介质生长系统，其特征在于，包括：高温感应耦合等离子体刻蚀系统，用于对晶片上的GaN材料表面进行低界面态和低体材料损伤的刻蚀，在对晶片上的GaN材料表面进行低界面态和低体材料损伤的刻蚀时，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统的腔壁温度大于200℃，所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统内装载所述晶片的片拖的温度大于200℃；远程等离子体修饰系统，用于对经低界面态和低体材料损伤刻蚀的GaN材料表面进行改性处理；沉积系统，用于在经改性处理的GaN材料表面上淀积一种或多种介质层；集簇式封闭传送系统，与所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统、所述远程等离子体修饰系统及所述沉积系统气密连通，用于将晶片从所述高温感应耦合等离子体刻蚀系统传送至所述远程等离子体修饰系统，再传送至所述沉积系统。