[发明专利]一种硅片切割工艺在审
| 申请号： | 201610512521.4 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN107553758A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 崔敏娟 | 申请（专利权）人： | 崔敏娟 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 张海英 |
| 地址： | 214177 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种硅片切割工艺，包括以下步骤a、采用线切割机对硅片进行切割，在切割过程中，通过喷嘴向切割钢线喷射切割砂浆；b、将切割后的硅片置于柠檬酸中进行脱胶处理，柠檬酸的温度为40～50℃，浸泡时间为10～20min；c、对脱胶后的硅片进行喷淋清洗；d、将清洗后的硅片置于甩干机中甩干；f、将甩干后的硅片置于烘箱中干燥，烘箱温度为80～90℃，烘干时间为3～5min。所述一种硅片切割工艺有效降低了硅片碎片率，大大提高了硅片出片率，无形中降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 切割 工艺 | ||
【主权项】：
一种硅片切割工艺，其特征在于：包括以下步骤：a、采用线切割机对硅片进行切割，在切割过程中，通过喷嘴向切割钢线喷射切割砂浆，其中，线切割机的钢线直径为0.15～0.2mm，钢线的线速度为500～700m/min；b、将切割后的硅片置于柠檬酸中进行脱胶处理，柠檬酸的温度为40～50℃，浸泡时间为10～20min；c、对脱胶后的硅片进行喷淋清洗；d、将清洗后的硅片置于甩干机中甩干；f、将甩干后的硅片置于烘箱中干燥，烘箱温度为80～90℃，烘干时间为3～5min。
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