[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体装置及其制造方法。该方法包括：提供衬底结构，其包括衬底、在衬底上的一个或多个半导体鳍片和在每个鳍片周围的沟槽隔离结构，沟槽隔离结构包括在相应鳍片的纵向两侧的第一和第二沟槽隔离部，和在相应鳍片的纵向两端的第三和第四沟槽隔离部；在衬底结构上形成图案化的第一硬掩模层，其具有开口以露出相应第三和第四沟槽隔离部的上表面；形成第一绝缘物层以填充开口，以形成包括第一绝缘物层及其下的沟槽隔离结构的部分的绝缘部分；去除第一硬掩模层以露出其下的鳍片部分和沟槽隔离结构的上表面；去除绝缘部分的至少一部分和所露出的沟槽隔离结构的一部分，使得第一和第二沟槽隔离部的上表面低于鳍片的上表面。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括衬底、位于所述衬底上的一个或多个半导体鳍片、以及在每个半导体鳍片周围的用于相应半导体鳍片的沟槽隔离结构，其中，所述沟槽隔离结构与相应半导体鳍片邻接，并且所述沟槽隔离结构的上表面与所述相应半导体鳍片的上表面齐平，所述沟槽隔离结构包括在相应半导体鳍片的纵向两侧的沿着与该相应半导体鳍片的纵向方向平行的第一方向的第一和第二沟槽隔离部，以及在相应半导体鳍片的纵向两端的沿着与该相应半导体鳍片的纵向方向相交的第二方向的第三和第四沟槽隔离部；在所述衬底结构上形成图案化的第一硬掩模层，所述第一硬掩模层形成有开口以露出用于各半导体鳍片的相应第三和第四沟槽隔离部的上表面；形成第一绝缘物层以填充所述开口，从而形成包括所述第一绝缘物层以及其下的沟槽隔离结构的部分的绝缘部分；去除所述第一硬掩模层以露出其下的半导体鳍片的部分以及所述沟槽隔离结构的上表面；以及去除所述绝缘部分的至少一部分以及所露出的沟槽隔离结构的一部分，以使得所述第一和第二沟槽隔离部的上表面低于所述半导体鳍片的上表面，从而露出所述半导体鳍片的第一上部，以及露出经该去除之后的所述绝缘部分的第二上部。