[发明专利]改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程中硅衬底完整性的方法有效
| 申请号： | 201610510527.8 | 申请日： | 2016-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN106128951B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 黄海辉;杨渝书;乔夫龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L27/11521;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程中硅衬底完整性的方法，包括：在衬底上依次形成垫氧层、氮化硅硬掩模层、底部抗放射涂层以及光刻胶层，并且对光刻胶层进行显影以形成光刻胶图案；利用形成图案的光刻胶层，对氮化硅硬掩模层和底部抗放射涂层进行干法刻蚀以形成氮化硅硬掩模层和底部抗放射涂层的图案；去除光刻胶层和底部抗放射涂层，并去除多聚物残留和表面颗粒；利用形成图案的氮化硅硬掩模层来刻蚀垫氧层以减小暴露的垫氧层区域的厚度；利用形成图案的氮化硅硬掩模层作为阻挡层来进行离子注入；使用湿法刻蚀去除氮化硅硬掩模层；使用湿法刻蚀来清洗晶圆表面，其中湿法刻蚀降低了剩余的垫氧层的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 闪存 阵列 区垫氧层 刻蚀 过程 衬底 完整性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善闪存阵列区垫氧层刻蚀过程中硅衬底完整性的方法，其特征在于包括：第一步骤：在衬底上依次形成垫氧层、氮化硅硬掩模层、底部抗放射涂层以及光刻胶层，并且对光刻胶层进行显影以形成光刻胶图案；第二步骤：利用形成图案的光刻胶层，对氮化硅硬掩模层和底部抗放射涂层进行干法刻蚀以形成氮化硅硬掩模层和底部抗放射涂层的图案；第三步骤：去除光刻胶层和底部抗放射涂层，并去除多聚物残留和表面颗粒；第四步骤：利用形成图案的氮化硅硬掩模层来刻蚀垫氧层以减小暴露的垫氧层区域的厚度；第五步骤：利用形成图案的氮化硅硬掩模层作为阻挡层来进行离子注入；第六步骤：使用湿法刻蚀去除氮化硅硬掩模层；第七步骤：使用湿法刻蚀来清洗晶圆表面，其中湿法刻蚀降低了剩余的垫氧层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
