[发明专利]晶片加工用临时粘合构件、晶片加工用层叠体以及薄晶片的制造方法有效
| 申请号: | 201610505786.1 | 申请日: | 2016-06-30 |
| 公开(公告)号: | CN106318291B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
| 发明(设计)人: | 田边正人;菅生道博;安田浩之 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C09J153/02;C09J183/04;C09J183/07;C09J183/05;C09J7/30 |
| 代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 何杨 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本发明提供晶片加工用临时粘合构件、晶片加工用层叠体以及薄晶片的制造方法。本发明的晶片加工用临时粘合构件为用于晶片加工的临时粘合构件,其包括热塑性树脂的第一临时粘合层(A)、热固性硅氧烷聚合物的第二临时粘合层(B)以及热固性聚合物的第三临时粘合层(C)。使用与层(B)邻接设置的层(A)中所含有的固化催化剂使层(B)固化。在不发生台阶覆盖不充分和其他缺陷的情况下,形成厚度均匀的粘接层。 | ||
| 搜索关键词: | 晶片 工用 临时 粘合 构件 层叠 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种将晶片临时粘合到支撑体用于晶片加工的构件,所述晶片具有形成电路的前表面和待加工的背面,所述临时粘合构件为复合临时粘接层,所述复合临时粘接层包括热塑性树脂的第一临时粘合层(A);与所述第一临时粘合层邻接设置的、热固性硅氧烷聚合物的第二临时粘合层(B);以及与所述第二临时粘合层邻接设置的、热固性聚合物的第三临时粘合层(C),其中,所述第一临时粘合层(A)是如下组合物的树脂层,所述组合物包括(A‑1)100重量份的热塑性树脂、以及(A‑2)固化催化剂,其量相对于100重量份的组分(A‑1)提供大于0重量份且小于等于1重量份的活性成分,所述热固性硅氧烷聚合物层(B)在与所述层(B)邻接的所述层(A)中的所述固化催化剂的帮助下被固化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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