[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201610493847.7 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN106098761B | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 周贤达;黄嘉杰;单建安 | 申请（专利权）人： | 黄嘉杰 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 胡坚 |
| 地址： | 中国香港清水湾香港科技大*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘栅双极型晶体管(IGBT)结构及其制造方法，该结构是平面IGBT结构，并且其特征在于超薄沟道和位于沟道下面的掩埋氧化物。该结构可以提供理论上最低的通态压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管结构，其特征在于，其包括位于底部的集电极(322)；位于所述集电极(322)顶上的第二导电型集电区(316)；位于所述第二导电型集电区(316)顶上的第一导电型缓冲区(315)；位于所述第一导电型缓冲区(315)顶上的第一导电型漂移区(314)；位于第一导电型漂移区(314)上的第二导电类型的浮置区(317)；位于所述浮置区(317)顶上的掩埋氧化物(332)；位于所述掩埋氧化物(332)顶上的第二导电型基区(313)、接触区(311)和发射区(312)，所述的接触区(311)和发射区(312)交替排列，所述的第二导电型基区(313)与接触区(311)和发射区(312)并列排列；位于发射区(312)和所述的接触区(311)的顶部并短接所述发射区(312)和所述接触区(311)的发射极(321)；位于所述的第二导电型基区(313)上方并覆盖所述的第二导电型基区(313)的栅电介质(330)，并且因此形成从所述发射区(312)到所述漂移区(314)的电子沟道；位于所述栅电介质(330)顶上的栅电极(320)，将所述栅电极(320)与所述发射极(321)隔离的层间电介质(331)；所述的栅电介质(330)、浮置区(317)、掩埋氧化物(332)和第二导电型基区(313)均和第一导电型漂移区(314)临近。
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