[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610491606.9 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN106856178B | 公开（公告）日： | 2022-10-21 |
| 发明（设计）人： | 培中希;黄威廉;曹雷蒙;梁麦可 | 申请（专利权）人： | 艾马克科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/50;H01L23/14;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 王红艳 |
| 地址： | 美国亚利桑那*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法。作为非限制实例，本发明的各种方面提供一种半导体封装及其制造方法，所述半导体封装包括抗氧化层的信号再分布结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其包括：半导体裸片，其包括第一裸片表面和在所述第一裸片表面上的传导垫；第一介电层(DL)，其在所述第一裸片表面上且包括第一介电层开口，所述传导垫通过所述第一介电层开口而暴露；第一再分布层，其包括在所述第一介电层上且在所述第一介电层开口中的第一传导层，其中所述第一传导层通过所述第一介电层开口而电连接到所述传导垫；第二再分布层，其包括在所述第一传导层上的第二传导层；和在所述第二传导层上的抗氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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