[发明专利]一种GaN‑MoS2分波段探测器及其制备方法

摘要

本发明适用于半导体器件领域，提供了GaN‑MoS2分波段探测器，包括GaN衬底；附在所述衬底一面上的GaN材料层；附在所述衬底的与所述GaN材料层相对的另一面上的MoS2材料层；置于所述GaN材料层和所述MoS2材料层上的电极组。本发明提供的GaN‑MoS2分波段探测器为单片集成结构，包括分别置于衬底两面的GaN材料层和MoS2材料层，所述探测器结构合理地将宽禁带GaN和窄禁带的二维材料MoS2结合在一起，最终实现了光子的分波段吸收探测。本发明还提供了所述GaN‑MoS2分波段探测器的制备方法，包括以下步骤制备GaN材料层；制备MoS2材料层；加工电极组。本发明所提供的制备方法，过程简单易行，便于工业化生产。

主权项

一种GaN‑MoS2分波段探测器，其特征在于，包括：GaN衬底；附在所述衬底一面上的GaN材料层；附在所述衬底的与所述GaN材料层相对的另一面上的MoS2材料层；置于所述GaN材料层和所述MoS2材料层上的电极组；所述GaN材料层与所述GaN衬底之间还具有GaN缓冲层，所述GaN缓冲层的厚度为20～50nm；所述GaN材料层包括与所述衬底的距离由近及远依次覆盖的n‑GaN层、i‑GaN层、p‑GaN层，所述n‑GaN层附在所述GaN缓冲层上。