[发明专利]用电子束作用在硅材料上制备纳米硅结构的方法及装置有效
| 申请号： | 201610484538.3 | 申请日： | 2016-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN106098534B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 黄伟其 | 申请（专利权）人： | 贵州大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82B3/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 李亮;程新敏 |
| 地址： | 550025 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用电子束作用在硅材料上制备纳米硅结构的方法及装置。本发明在非晶硅薄膜上用电子束辐照进行晶化，以生长纳米硅结构，这样的方式具有纳米硅生长速度快、纳米形貌尺寸可控与尺度分布范围较窄等优点。可用于制备发光量子点材料，发光效果很好。本发明方法简单，易于实施，成本低廉，使用效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 用电 作用 材料 制备 纳米 结构 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种用电子束作用在硅材料上制备纳米硅结构的方法，其特征在于：在非晶硅薄膜上用电子束辐照进行晶化，生长纳米硅结构；所述的纳米硅结构包括硅量子点或硅量子面结构；具体如下步骤：1)预处理：对单晶硅片进行P型掺杂，形成电阻率2～20Ω·cm的硅片，清洗除去硅表面在空气中形成的氧化硅层，并制备出非晶硅薄膜；2)在真空氩气氛围中用电子束辐照作用在非晶硅薄膜上；3)控制电子束的加速电压为180‑220KV，束流密度为0.4‑0.6nA/nm2，在确定电子束流密度的条件下控制辐照作用的时间，时间为5‑10分钟开始晶化，时间为10‑20分钟形成硅量子点，时间为30分钟以上行程大块的晶体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于贵州大学，未经贵州大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610484538.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
