[发明专利]温度控制方法有效
| 申请号： | 201610475906.8 | 申请日： | 2016-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN106298447B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 山本能吏;益田法生;中村健一郎;小泉浩 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种温度控制方法。该温度控制方法用于抑制半导体晶圆间的温度偏差，包括供给工序、测量工序、计算工序以及控制工序。在供给工序中，在向加热载置台的加热器的电力供给停止的状态下或者向加热器供给的电力被固定的状态下，向温度与载置台的温度不同的被处理体与载置有该被处理体的载置台之间供给传热气体。在测量工序中，对由于经由传热气体进行的半导体晶圆与载置台的热交换而发生的载置台的温度变化进行测量。在计算工序中，基于载置台的温度变化来计算校正值。在控制工序中，使向加热器的电力供给开始，控制向加热器供给的电力使得载置台的温度成为利用校正值校正后的目标温度。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种温度控制方法，用于对载置于载置台的载置面的被处理体的温度进行控制，其特征在于，包括：/n供给工序，在向加热所述载置台的加热器的电力供给停止的状态下或者向加热器供给的电力被固定的状态下，向温度与所述载置台的温度不同的所述被处理体与载置有所述被处理体的所述载置台之间供给传热气体；/n第一测量工序，对由于经由所述传热气体进行的所述被处理体与所述载置台之间的热交换而发生的所述载置台的温度变化进行测量；/n计算工序，基于所述载置台的温度变化来计算校正值；以及/n控制工序，使向所述加热器的电力供给开始，控制向所述加热器供给的电力使得所述载置台的温度成为利用所述校正值校正后的目标温度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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