[发明专利]一种制备晶硅纳米结构减反射层的方法

摘要

本发明了提出一种在通电条件下对硅衬底进行化学腐蚀制备减反射层的方法。本发明的方法可以方便地在低电阻率的p型硅衬底上制备晶硅减反射层，制备成本低。利用本发明方法所获的减反射层尺寸结构较大，减反射效果明显，表面复合较小，与现有工业化生产工艺兼容性较好，制成太阳电池以后，其电池片的转换效率可提高0.2％左右。

主权项

一种制备晶硅纳米结构减反射层的方法，其特征在于，选择低电阻率的p型硅衬底，将其浸入在含有氧化剂以及银离子的溶液中进行通电腐蚀，通过调节各步工艺参数，获得微观结构为百纳米到微米量级的晶硅纳米结构减反射层；其中，所述的低电阻率指所述的p型硅衬底的电阻率小于5Ω·cm，所述腐蚀溶液中含有氢氟酸，硝酸银，双氧水以及去离子水，其浓度分别为HF＝0.5mol/L，AgNO3＝1*10‑4mol/L，H2O2＝3mol/L；所述的通电腐蚀是在晶硅正表面施加均匀的电场，晶硅背表面不接触所述的腐蚀溶液，通电腐蚀的电流密度为30mA/cm2，通电腐蚀的时间为30分钟，通过该方法，在低电阻率的p型硅衬底上获得规则的硅孔，该硅孔为上方大下方小倒金字塔结构。