[发明专利]驱动电平组合优化的桥臂串扰抑制驱动电路及其控制方法有效
申请号: | 201610459751.9 | 申请日: | 2016-06-22 |
公开(公告)号: | CN106100296B | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 谢昊天;秦海鸿;朱梓悦;付大丰;徐华娟 | 申请(专利权)人: | 南京航空航天大学 |
主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 葛潇敏 |
地址: | 210016 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种驱动电平组合优化的桥臂串扰抑制驱动电路及其控制方法,电路包括连接在上桥臂的第一供电电源与上管的栅极间的第一栅极电压图腾柱结构电路、连接在上桥臂的第二供电电源与上管的源极间的第一源极电压图腾柱结构电路、与第一栅极电压图腾柱结构电路连接的第一低阻抗桥臂串扰抑制回路、连接在下桥臂的第三供电电源与下管的栅极间的第二栅极电压图腾柱结构电路、连接在下桥臂的第四供电电源与下管的源极间的第二源极电压图腾柱结构电路,以及与第二栅极电压图腾柱结构电路连接的第二低阻抗桥臂串扰抑制回路。此种驱动电路可充分发挥SiC MOSFET高速开关的性能优势,在实现桥臂串扰抑制功能的同时提高开通及关断瞬间的驱动电压,实现高速开关。 | ||
搜索关键词: | 驱动 电平 组合 优化 桥臂串扰 抑制 电路 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种驱动电平组合优化的桥臂串扰抑制驱动电路,连接在SiC MOSFET桥臂电路中,所述SiC MOSFET桥臂电路包括上桥臂和下桥臂;其特征在于:上桥臂包括第一供电电源、第二供电电源、第一高压电源、第二高压电源和上管,下桥臂包括第三供电电源、第四供电电源、第三高压电源、第四高压电源和下管;所述驱动电路还包括连接在上桥臂的第一供电电源与上管的栅极之间的第一栅极电压图腾柱结构电路、连接在上桥臂的第二供电电源与上管的源极之间的第一源极电压图腾柱结构电路、与第一栅极电压图腾柱结构电路连接的第一低阻抗桥臂串扰抑制回路、连接在下桥臂的第三供电电源与下管的栅极之间的第二栅极电压图腾柱结构电路、连接在下桥臂的第四供电电源与下管的源极之间的第二源极电压图腾柱结构电路,以及与第二栅极电压图腾柱结构电路连接的第二低阻抗桥臂串扰抑制回路,第一、第三供电电源分别为第一、第二栅极电压图腾柱结构电路提供高低电平信号,第二、第四供电电源分别为第一、第二源极电压图腾柱结构电路提供高低电平信号;第一、第三高压电源分别为第一、第二栅极电压图腾柱结构电路供电,第二、第四高压电源分别为第一、第二源极电压图腾柱结构电路供电。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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