[发明专利]一种制备硫掺杂石墨烯薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种制备硫掺杂石墨烯薄膜方法，涉及新型二维纳米材料制备领域。本发明包括以下步骤：将金属衬底和噻蒽分别置于化学气相沉积系统反应腔室相互隔热的加热区；在真空条件下，向反应腔内通入混合气体；将金属衬底高温退火处理后保温于石墨烯薄膜的制备温度，然后加热噻蒽使其气化，并通过混合气体将噻蒽气体输送至金属衬底发生反应，最终在金属衬底上制备出硫掺杂石墨烯薄膜。本发明制备工艺简单、成本较低，可实现大规模工业生产，原料绿色环保无污染；本发明制得硫掺杂石墨烯薄膜层数、掺杂含量、面积可通过控制相关参数灵活调节，从而制备出具有不同性质的硫掺杂石墨烯薄膜，在基础科研领域和传感器等实际应用方面具有重要的价值。

主权项

1.一种制备硫掺杂石墨烯薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤A：将金属衬底和噻蒽分别置于化学气相沉积系统反应腔室第一加热区中央和第二加热区中央，所述第二加热区位于所述第一加热区前端，且与第一加热区隔热；步骤B：在真空条件下，在步骤A的化学气相沉积系统反应腔室通入惰性气体和氢气形成的混合气体；步骤C：通过控制第一加热区温度，将所述金属衬底进行高温退火处理，然后保温于制备石墨烯的温度；步骤D：待步骤C中金属衬底保温后，通过第二加热区加热噻蒽，使其气化并通过所述混合气体将噻蒽气体输送至金属衬底，噻蒽在金属衬底发生高温催化裂解反应，反应过程中维持负压以提高薄膜生长质量；步骤E：待反应结束，将金属衬底温度和噻蒽温度均降至室温，停止混合气体通入，最终在金属衬底表面制得硫掺杂石墨烯薄膜。