[发明专利]一种自偏置结构带隙基准源电路有效

专利信息
申请号: 201610452717.9 申请日: 2016-06-21
公开(公告)号: CN106406410B 公开(公告)日: 2018-08-28
发明(设计)人: 方建平;奚源 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G05F1/565 分类号: G05F1/565
代理公司: 西安利泽明知识产权代理有限公司 61222 代理人: 贾晓玲
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明属于数模混合集成电路技术领域,特别是提供了一种电源管理芯片内自偏置电流源结构的带隙基准源电路。所述的自偏置结构带隙基准源电路由正温度系数电路模块、负温度系数电路模块、补偿电路模块、计算电路模块以及自偏置结构电路模块,以及运算放大器单元模块组成。该带隙基准源不受厄尔利电压的影响,电路结构简单,电路结构集成度更高,更稳定。这种基准源对电源电压、工艺参数和温度的变化不敏感,并且能够工作在较宽的电源电压范围下,实现低功耗和减小版图面积消耗的特点。
搜索关键词: 一种 偏置 结构 基准 电路
【主权项】:
1.一种自偏置结构带隙基准源电路,包括正温度系数电路模块、负温度系数电路模块、计算电路模块,自偏置结构电路模块以及补偿电路模块,其特征在于:正温度系数电路模块其输出端与计算电路模块的输入端相连,用于产生与温度系数成正比的电压值;负温度系数电路模块其输出端与计算电路模块的另一个输入端相连,产生与温度系数成反比的电压值;计算电路模块其输出端与自偏置结构电路模块的输入端连接,用于产生零温度系数的电压值,并且与输出端VBG相连输出最终的基准电压值;自偏置结构电路模块输出端与正温度系数电路模块与负温度系数电路模块的输入端连接,用于自动调节偏置电路的工作点;所述的补偿电路模块与计算电路模块相连,实现电路的环路稳定,所述的自偏置结构带隙基准源电路结构是第一晶体管Q1的基极与集电极连接并接地,第一晶体管Q1发射极连接第二电阻R2的第一端、第五PMOS管MP5的栅极,第二电阻R2的第二端连接第三电阻R3的第二端、第四电阻R4的第一端,第四电阻R4的第二端连接带隙基准源的输出端VBG、第一PMOS管MP1的漏极,第一PMOS管MP1的源极与电源VDD相连;第二晶体管Q2的基极与集电极连接并接地,第二晶体管Q2发射极连接第一电阻R1的第一端,第一电阻R1的第二端连接第六PMOS管MP6的栅极、第三电阻R3的第一端;第一NMOS管MN1的源极与地相连,第一NMOS管的MN1栅极连接第六PMOS管MP6的漏极、第三NMOS管MN3的漏极、第四NMOS管MN4的栅极,第一NMOS管MN1的漏极连接第二PMOS管MP2的漏极、第二PMOS管MP2的栅极、第一PMOS管MP1的栅极,第二PMOS管MP2的源极与电源VDD相连,第四NMOS管MN4的漏极与源极相连并接地;第二NMOS管MN2的源极与第三NMOS管MN3的源极相连并接地,第二NMOS管MN2的栅极连接第二NMOS管MN2的漏极、第三NMOS管MN3的栅极、第五PMOS管MP5的漏极,第五PMOS管MP5的源极连接第六PMOS管MP6的源极、第三PMOS管MP3的漏极,第三PMOS管MP3的源极连接第四PMOS管MP4的漏极,第三PMOS管MP3的栅极连接偏置电压VBIAS1,第四PMOS管MP4的源极与电源VDD相连,第四PMOS管MP4的栅极连接偏置电压VBIAS2。
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