[发明专利]一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610451269.0 | 申请日： | 2016-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN105932131A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 李波;杨凯;何胜;徐洲;林鸿亮;张永;张双翔 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，本发明从下到上依次包括：第一电极、衬底、半导体发光层、电流阻挡层、透明导电层和第二电极；所述电流阻挡层设置在第二电极下方的所述透明导电层和半导体发光层之间。电流经过第二电极注入到氧化铟锡透明薄膜后，受电流阻挡层的影响在透明导电层进行横向扩展，将大部分电流注入到半导体发光层的有源区，这种分布式电流注入方式减缓了电流在电极下方的积聚，减少电流的无效注入，提升了发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 algainp 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直结构AlGaInP基发光二极管，从下到上依次包括：第一电极、衬底、半导体发光层、电流阻挡层、透明导电层和第二电极；其特征在于所述电流阻挡层设置在第二电极下方的所述透明导电层和半导体发光层之间。
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