[发明专利]多步骤和非对称塑形的激光束划线有效

专利信息
申请号: 201610450148.4 申请日: 2012-05-25
公开(公告)号: CN106077965B 公开(公告)日: 2018-06-29
发明(设计)人: W-S·类;B·伊顿;M·R·亚拉曼希里;S·辛格;A·库玛;J·M·霍尔登 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: B23K26/364 分类号: B23K26/364;B23K26/0622;B23K26/40;B23K26/402;H01L21/78
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 何焜
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本申请公开了多步骤和非对称塑形的激光束划线。提供了藉由激光划线和等离子体蚀刻二者分割基板的方法。一种方法包括:激光剥蚀材料层;以第一辐照度和后续的第二辐照度进行剥蚀,第二辐照度低于第一辐照度。可利用经调整而具有不同通量水平的射束的多重进程、或具有各种通量水平的多重激光束,在第一通量水平下剥蚀掩模和IC层以暴露基板,并且接着在第二通量水平下自沟槽底部清除再沉积的材料。一种利用分束器的激光划线装置可自单一激光提供具有不同通量的第一和第二射束。
搜索关键词: 通量 辐照度 激光束 剥蚀 非对称 射束 塑形 划线 激光 等离子体蚀刻 激光划线装置 剥蚀材料 暴露基板 分割基板 激光划线 分束器 再沉积 掩模 申请 进程
【主权项】:
1.一种分割基板的方法,所述基板包括多个IC,所述方法包括:接收所述基板,所述基板具有未经图案化的掩模,所述未经图案化的掩模覆盖并保护所述IC;使用激光剥蚀沟槽的预定图案进入所述掩模并进入设置在所述掩模下的IC叠层内,以暴露所述基板的一部分,以具有第一辐照度的电磁辐射以及后续具有第二辐照度的电磁辐射来进行所述剥蚀,所述第二辐照度与所述第一辐照度不同;以及等离子体蚀刻穿过由经图案化的掩模沟槽所暴露的基板,以使所述IC单片化。
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