[发明专利]基板处理装置有效
| 申请号： | 201610444504.1 | 申请日： | 2016-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN106257639B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 武明励;安藤幸嗣;前川直嗣;安武阳介 | 申请（专利权）人： | 株式会社思可林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 向勇;董雅会<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的基板处理装置一边抑制残留处理液进入器件区域一边处理上表面周缘部，具有：基板保持部，将基板保持为大致水平，围绕规定旋转轴旋转，旋转机构，使基板保持部围绕旋转轴旋转，处理液喷出部，以使液流接触以旋转轴为中心旋转的基板的上表面周缘部的旋转轨迹中的一部分的着落位置的方式喷出处理液的液流，气体喷出部，从上方朝向旋转轨迹中的着落位置的基板的旋转方向的上游侧的第一位置喷出非活性气体的第一气流，使第一气流从第一位置朝向基板的周缘，从上方朝向旋转轨迹中的第一位置的基板的旋转方向的上游侧的第二位置喷出非活性气体的第二气流，使第二气流从第二位置朝向基板的周缘；第二气流喷出时的动能小于第一气流喷出时的动能。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，其特征在于，/n具有：/n基板保持部，将基板保持为大致水平，设置为能够围绕规定的旋转轴旋转，/n旋转机构，使所述基板保持部围绕所述旋转轴旋转，/n药液喷出部，向所述基板的处理面喷出药液，/n加热器，具有相向面，该相向面以非接触方式与所述基板的处理面的相反侧的面相向，该加热器对所述基板进行加热，以及/n气体喷出机构，向所述基板的所述相反侧的面和所述加热器的所述相向面之间的空间喷出预先被加热的非活性气体，/n所述加热器具有沿着所述相向面呈环状的带状延伸的发热体和与该发热体接合并具有所述相向面的上构件，并且，所述加热器利用从所述发热体向所述上构件的传热，从所述相向面向所述基板的所述相反侧的面放射热的光线，从而对基板进行加热，/n所述气体喷出机构具有沿着所述发热体配设的加热用流路，作为供给所述非活性气体的流路，/n所述加热用流路的宽度比所述发热体的带宽窄。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
