[发明专利]半导体框架的内引线分层制作方法在审
| 申请号： | 201610427150.X | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN105931972A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 熊志 | 申请（专利权）人： | 泰兴市永志电子器件有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/495 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 225400 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体框架的内引线分层制作方法，框架内引线的露铜表面内设置一个通孔，在通孔两侧或单侧滚镀超窄、超薄镀银区域。通孔可以加强框架内引线正反面跟包封塑封料的锁紧和锁定，超窄、超薄的镀银区域所采用的滚轮式电镀工艺大大突破现有电镀工艺的技术指标，可以极大地减少镀银区域，最大限度地增加框架内引线露铜表面区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 框架 引线 分层 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体框架的内引线分层制作方法，其特征在于：在框架内引线的露铜表面形成毛糙面；在所述框架内引线毛糙面中部产生一个通孔，在所述通孔单侧或两侧采用滚镀方式电镀一块超窄和超薄的镀银区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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