[发明专利]多晶硅电阻及其制作方法有效
| 申请号： | 201610424755.3 | 申请日： | 2016-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN105895622B | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 钱文生 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅电阻，由P型多晶硅电阻和N型多晶硅电阻互连形成，所述N型多晶硅电阻的N型掺杂浓度要求满足使所述N型多晶硅电阻具有正的温度系数，通过互连使所述N型多晶硅电阻的正的温度系数和和P型多晶硅电阻所具有的负的温度系数相抵消并使互连后的所述多晶硅电阻的温度系数降低并趋于0。本发明还公开了一种多晶硅电阻的制作方法。本发明能降低多晶硅电阻的温度系数，满足低温度系数的多晶硅电阻的应用要求。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 电阻 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅电阻，其特征在于：多晶硅电阻由P型多晶硅电阻和N型多晶硅电阻互连形成，所述N型多晶硅电阻的N型掺杂浓度要求满足使所述N型多晶硅电阻具有正的温度系数，通过互连使所述N型多晶硅电阻的正的温度系数和P型多晶硅电阻所具有的负的温度系数相抵消并使互连后的所述多晶硅电阻的温度系数降低并趋于0；在所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻中还包括非掺杂性的杂质原子，以增加所述P型多晶硅电阻和所述N型多晶硅电阻的电离杂质散射。
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