[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
| 申请号: | 201610424452.1 | 申请日: | 2016-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN106257638B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
| 发明(设计)人: | 小林健司;泽岛隼;中岛章宏 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
| 地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种基板处理装置以及基板处理方法,一边使处理液喷出口在预喷出位置向存放器喷出药液,一边检测供给到存放器的药液的温度。药液的温度随着时间的经过而上升。当供给至存放器的药液的温度到达第二目标温度时,使处理液喷出口停止喷出药液。然后,变更处理液喷出口以及存放器的位置关系,使处理液喷出口在处理位置向基板喷出药液。 | ||
| 搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,其中,包括:喷出口,喷出对基板进行处理的处理流体,供给路,向所述喷出口引导处理流体,喷出阀,安装在所述供给路上,基板保持单元,一边将由从所述喷出口喷出的处理流体处理的基板保持为水平一边使该基板旋转,存放器,接受从所述喷出口喷出的处理流体,位置变更单元,在处理位置和预喷出位置之间变更所述喷出口以及存放器的位置关系,所述处理位置是从所述喷出口喷出的处理流体向由所述基板保持单元保持的基板供给的位置,所述预喷出位置是从所述喷出口喷出的处理流体向所述存放器供给的位置,上游温度检测单元,在所述喷出阀的上游对位于所述供给路的处理流体的温度进行检测,下游温度检测单元,对从所述喷出口供给到所述存放器的处理流体的温度进行检测,控制装置,对所述喷出阀以及位置变更单元进行控制;所述控制装置执行:第一步骤,当由所述上游温度检测单元检测出的处理流体的温度到达第一目标温度时,通过打开安装在向喷出对基板进行处理的处理流体的所述喷出口引导处理流体的所述供给路上的所述喷出阀,使所述喷出口在从所述喷出口喷出的处理流体向所述存放器供给的所述预喷出位置喷出处理流体,第二步骤,与所述第一步骤并行,通过所述下游温度检测单元对从所述喷出口喷出的处理流体的温度进行检测,第三步骤,当在所述第二步骤检测出的处理流体的温度到达比所述第一目标温度低的第二目标温度时,停止从所述喷出口向所述存放器供给处理流体,第四步骤,在所述第三步骤之后,使所述喷出口在从所述喷出口喷出的处理流体向由所述基板保持单元保持的基板供给的所述处理位置喷出处理流体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社思可林集团,未经株式会社思可林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610424452.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:紧固组件及具有其的基板处理装置
- 下一篇:基板处理装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





