[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：半导体衬底；在半导体衬底上的被沟槽隔离的第一鳍片和第二鳍片，第一鳍片至少包括具有第一导电类型的第一部分和具有第二导电类型的第二部分，第一部分和第二部分邻接，第二部分通过半导体衬底连通到第二鳍片；以及在第一部分和第二部分上的栅极结构，其中该栅极结构包括：至少在第一部分和第二部分的部分表面上的栅极绝缘物层，至少在第一部分之上的栅极绝缘物层的一部分上的栅极，以及在第二部分之上的栅极绝缘物层的一部分上的伪栅极；其中，伪栅极与栅极邻接，该伪栅极为绝缘层或未掺杂的半导体层。本发明可以减小栅极绝缘物层被击穿的可能性，提高器件的可靠性。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的被沟槽隔离的第一鳍片和第二鳍片，所述第一鳍片至少包括具有第一导电类型的第一部分和具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的第二部分，所述第一部分和所述第二部分邻接，所述第二部分通过所述半导体衬底连通到所述第二鳍片；以及在所述第一部分和所述第二部分上的栅极结构，其中所述栅极结构包括：至少位于所述第一部分和所述第二部分的部分表面上的栅极绝缘物层，至少位于所述第一部分之上的所述栅极绝缘物层的一部分上的栅极，以及位于所述第二部分之上的所述栅极绝缘物层的一部分上的伪栅极；其中，所述伪栅极与所述栅极邻接，所述伪栅极为绝缘层或未掺杂的半导体层。