[发明专利]具有晶界切换的存储器装置及用于制造其的方法有效
| 申请号： | 201610423638.5 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN106257701B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 龙翔澜;何永涵 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有晶界切换的存储器装置及用于制造其的方法。该存储器装置包括在插在第一电极及第二电极之间的晶团材料。晶团材料包括埋在非结晶基体中的纳米晶粒。在操作期间，相变化反应发生在晶团材料中的晶粒间边界处，使得能降低操作功率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 切换 存储器 装置 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器装置，其特征在于，包括：一第一电极，具有一电极表面；一晶团材料(conglomerate material)，在该电极表面上，该晶团材料包括埋在一非结晶基体(amorphous matrix)中的多个纳米晶粒(nanocrystalline grains)；一第二电极，在该晶团材料上；及一电路，以供应一第一偏压安排(bias arrangement)及一第二偏压安排，该第一偏压安排用以在该电极表面上方的一区域中的该些纳米晶粒之间引发形成非结晶材料，以提高该第一电极及该第二电极之间的该晶团材料的电阻使其高于一第一临界值，而未消除该区域中的该些纳米晶粒，该第二偏压安排用以引发该区域中的一部分(amount)的该些纳米晶粒的扩大，以减小该第一电极及该第二电极之间的该晶团材料的电阻使其低于一第二临界值。
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