[发明专利]一种单晶硅生长炉有效
| 申请号： | 201610423045.9 | 申请日： | 2016-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN107513759B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 郭鸿震;温雅楠 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 余明伟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种单晶硅生长炉，包括：坩埚；支撑所述坩埚并使所述坩埚旋转的底座；收容所述底座的基底腔室，所述基底腔室带有石墨导管，所述底座下部收容在所述石墨导管内；其中，收容在所述石墨导管内的底座下部设有外螺纹。本发明的单晶硅生长炉，通过对坩埚底座进行简单的结构改进，便可有效解决坩埚掉落物在石墨导管中堆积导致的种种问题，减少了坩埚底座磨损、开裂等损坏，减少了因坩埚震动导致的漏液，有效避免了石墨尘埃造成的污染，并大大地减少了由于掉落物造成的底座卡顿事故。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶硅 生长 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅生长炉，其特征在于，包括：/n坩埚；/n支撑所述坩埚并使所述坩埚旋转的底座；/n收容所述底座的基底腔室，所述基底腔室带有石墨导管，所述底座下部收容在所述石墨导管内；/n其中，收容在所述石墨导管内的底座下部设有外螺纹；在所述坩埚的旋转方式为顺时针旋转，所述外螺纹为左旋螺纹；在所述坩埚的旋转方式为逆时针旋转，所述外螺纹为右旋螺纹。/n
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