[发明专利]半导体器件的形成方法

摘要

一种半导体器件的形成方法，包括提供具有中心区域和边缘区域的基底，基底内有底层金属层；在中心区域和边缘区域的基底上由下到上形成阻挡层、介质层和掩膜层，中心区域和边缘区域的基底上的掩膜层中分别有第一沟槽图形开口和第二沟槽图形开口；然后在第一沟槽图形开口和第二沟槽图形开口底部的介质层中分别对应形成第一接触孔和第二接触孔；之后以掩膜层为掩膜刻蚀介质层直至暴露出阻挡层表面，在中心区域和边缘区域的基底上的介质层中分别对应形成第一沟槽和第二沟槽，介质层和阻挡层的刻蚀选择比值大于等于10；刻蚀第一沟槽和第二沟槽暴露出的阻挡层至暴露出底层金属层表面。所述方法使得半导体器件的电学性能得到提高。

主权项

一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括中心区域和边缘区域，所述中心区域和边缘区域的基底内具有底层金属层；在中心区域和边缘区域的基底上形成阻挡层；在所述阻挡层上形成介质层；在所述介质层上形成掩膜层，中心区域的基底上的掩膜层中具有第一沟槽图形开口，边缘区域的基底上的掩膜层中具有第二沟槽图形开口；在第一沟槽图形开口底部的介质层中形成第一接触孔；在第二沟槽图形开口底部的介质层中形成第二接触孔；形成第一接触孔和第二接触孔后，以所述掩膜层为掩膜刻蚀介质层直至暴露出阻挡层表面，在中心区域的基底上的介质层中形成第一沟槽，在边缘区域的基底上的介质层中形成第二沟槽，所述介质层相对于阻挡层的刻蚀选择比值大于等于10；刻蚀第一沟槽和第二沟槽暴露出的阻挡层直至暴露出底层金属层表面。