[发明专利]一种碳/碳复合材料SiC内涂层的制备方法有效
| 申请号： | 201610421737.X | 申请日： | 2016-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN106083206B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李翠艳;黎桂标;欧阳海波;黄剑锋;孔新刚;曹丽云;费杰 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87;C04B35/83;C04B35/84 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 安彦彦 |
| 地址： | 710021 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种碳/碳复合材料SiC内涂层的制备方法，将碳/碳复合材料为基体试样，将碳/碳试样经两步喷砂处理，并经预氧化，用按一定摩尔质量比配制的SiO2：Si：C粉料包埋并在氩气气氛下反应得到SiC内涂层。本发明具有工艺简单、制备周期短、成本低、无尾气且该方法能够获得厚度均匀SiC内涂层的优势。另外，本发明制备的SiC内涂层与外涂层结合良好，涂层表面具有SiC纳米线且涂层呈网络多孔结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合材料 sic 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳/碳复合材料SiC内涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)选用碳/碳复合材料为基体，对其表面进行粗糙化，得到C/C试样；其中进行粗糙化具体为：对基体进行两步喷砂处理；第一步喷砂处理去除基体表面尖锐棱角，使基体表面交界处呈现圆角；第二步喷砂处理使基体表面产生均匀的凹凸面；第一步喷砂处理采用20～100目的Al2O3，处理时间为10～50min；2)将步骤1)所得的C/C试样进行预氧化；3)按照Si：SiO2摩尔比为(0.8～1.2)：1，SiO2：C的摩尔比为1：(3.0～5.0)的比例，将Si、SiO2、C配制混合粉料；将步骤2)所得的C/C试样用配制好的混合粉料包埋，然后置于氩气气氛中在1200～1400℃下反应1～3h，在碳/碳复合材料表面制得SiC内涂层；制得的SiC内涂层呈网络多孔结构，表面粗糙并且有SiC纳米线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学，未经陕西科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610421737.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
