[发明专利]CMOS图像传感器的双鳍形场效应晶体管在审
| 申请号： | 201610418703.5 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN107492571A | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 赵立新;李杰 | 申请（专利权）人： | 格科微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L27/146 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器的双鳍形场效应晶体管，包括环形有源区，所述环形有源区为鳍形凸起结构，其包围有凹槽；所述环形有源区对应于凹槽两侧的部分凸起结构分别定义为两鳍形晶体管的沟道区域；环形有源区的两端区域定义为晶体管的源级、漏极；所述环形有源区的外围区域和内部区域覆盖有介质层进行隔离；栅极区域，其覆盖沟道区域及内部区域介质层和部分的外围区域介质层。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 双鳍形 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器的双鳍形场效应晶体管，其特征在于，包括：环形有源区，所述环形有源区为鳍形凸起结构，其包围有凹槽；所述环形有源区对应于凹槽两侧的部分凸起结构分别定义为两鳍形晶体管的沟道区域；环形有源区的两端区域定义为晶体管的源级、漏极；所述环形有源区的外围区域和内部区域覆盖有介质层进行隔离；栅极区域，其覆盖沟道区域及内部区域介质层和部分的外围区域介质层。
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