[发明专利]一种基于有机薄膜晶体管反相器的传感器有效

专利信息
申请号: 201610417269.9 申请日: 2016-06-15
公开(公告)号: CN106123928B 公开(公告)日: 2018-07-13
发明(设计)人: 郭小军;唐伟;李乔峰;黄钰坤;丁立;赵家庆 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G01D5/12 分类号: G01D5/12
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种基于有机薄膜晶体管反相器的传感器,包括电接触端子以及设置于衬底之上的第一有机薄膜晶体管和第二有机薄膜晶体管,所述第一有机薄膜晶体管作为负载元件,采用有机半导体层埋在栅绝缘层下面的顶栅底接触型结构,所述第二有机薄膜晶体管作为传感元件实现各类传感功能,采用有机半导体层暴露在外面的底栅底接触型结构,该第一有机薄膜晶体管和第二有机薄膜晶体管公用同一栅绝缘层,组成互补反相器,所述电接触端子与所述第一有机薄膜晶体管连接。较之于单一有机薄膜晶体管传感器而言,本发明极大地提升了传感器的稳定性和降低了传感器的功耗,具有稳定性好、功耗低、结构简单、加工工序简化和制造成本低的优点。
搜索关键词: 有机薄膜晶体管 传感器 有机半导体层 电接触端子 栅绝缘层 反相器 接触型 功耗 互补反相器 传感功能 传感元件 负载元件 加工工序 制造成本 衬底 底栅 顶栅 公用 暴露
【主权项】:
1.一种基于有机薄膜晶体管反相器的传感器,其特征在于,包括电接触端子以及设置于衬底之上的第一有机薄膜晶体管和第二有机薄膜晶体管,所述第一有机薄膜晶体管作为负载元件,采用顶栅底接触型结构,所述第二有机薄膜晶体管作为传感元件,采用底栅底接触型结构,该第一有机薄膜晶体管和第二有机薄膜晶体管公用同一栅绝缘层,组成互补反相器,所述电接触端子与所述第一有机薄膜晶体管连接;所述的第一有机薄膜晶体管由下而上依次为第一有机薄膜晶体管源极/第二有机薄膜晶体管漏极、第一有机薄膜晶体管有机半导体、栅绝缘层和第一有机薄膜晶体管栅极;所述第二有机薄膜晶体管由下而上依次为第二有机薄膜晶体管栅极、栅绝缘层、第二有机薄膜晶体管源极/第二有机薄膜晶体管漏极和第二有机薄膜晶体管有机半导体;所述第一有机薄膜晶体管的源极与所述电接触端子连接。
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