[发明专利]单粒子效应预测方法和装置

摘要

本发明涉及一种单粒子效应预测方法和装置，该单粒子效应预测方法通过获取待检测器件在重离子辐照下的不少于五个单粒子效应截面～离子LET值数据点，对单粒子效应截面～离子LET值数据点进行Weibull函数曲线拟合得到Weibull曲线，将Weibull曲线阶梯化，并计算得到每个灵敏区的灵敏区参数、收集因子以及灵敏单元的临界电荷，根据灵敏单元的所有灵敏区的灵敏区参数、收集因子和沉积能量计算灵敏单元的收集电荷；当收集电荷大于或等于临界电荷时，预测待检测器件发生单粒子效应。该方法得到的灵敏区模型包括至少一个灵敏区，每一个灵敏区考虑了单个灵敏单元内部的敏感性差异，从而利用该灵敏区模型能够精确预测待检测器件是否在对应的实验和应用环境中发生单粒子效应。

主权项

1.一种单粒子效应预测方法，包括：获取待检测器件在重离子辐照下的不少于五个单粒子效应截面～离子LET值数据点；对所述单粒子效应截面～离子LET值数据点进行Weibull函数曲线拟合得到Weibull曲线；将所述Weibull曲线阶梯化；根据阶梯化的所述Weibull曲线得到所述待检测器件对应灵敏单元的灵敏区模型，所述灵敏区模型包括至少一个灵敏区，所述灵敏区与阶梯化的所述Weibull曲线的阶梯对应；获取所述灵敏区的灵敏区参数、所述灵敏区的收集因子和粒子在所述灵敏区的沉积能量以及所述灵敏单元的临界电荷；根据所述灵敏单元的所有灵敏区的所述灵敏区参数、所述收集因子和所述沉积能量计算所述灵敏单元的收集电荷；当所述收集电荷大于或等于所述临界电荷时，预测所述待检测器件发生单粒子效应。