[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610413139.8 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105845801B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 蒙成;卢怡安;吴俊毅;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，该发光二极管包括发光外延叠层，上表面划分为欧姆接触区和非欧姆接触区；欧姆接触层，位于发光外延叠层的欧姆接触区之上；扩展电极，形成于欧姆接触层上，并至少部分向欧姆接触层的边沿延伸至发光外延叠层的非欧姆接触区，接触发光外延叠层的上表面；透明绝缘层，覆盖扩展电极及裸露着的欧姆接触层和发光外延叠层上表面，具有电流通道，其与扩展电极连接，在发光外延叠层的投影位于非欧姆接触区；焊线电极，位于透明绝缘层之上，通过电流通道与扩展电极导通，在发光外延叠层的投影位于非欧姆接触区；当注入电流时，迅速沿焊线电极下方的电流通道向发光外延叠层的欧姆接触区流通，避免焊线电极下方有源层灌入电流发光。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管，包括：发光外延叠层，包含第一半导体层、有源层和第二半导体层，其上表面划分为欧姆接触区和非欧姆接触区；欧姆接触层，位于所述发光外延叠层的欧姆接触区；扩展电极，形成于所述欧姆接触层上，并至少部分向所述欧姆接触层的边沿延伸至所述发光外延叠层的非欧姆接触区，接触所述发光外延叠层的上表面；透明绝缘层，覆盖所述扩展电极及裸露着的欧姆接触层和发光外延叠层上表面；电流通道，位于所述透明绝缘层内并贯彻所述透明绝缘层，与所述扩展电极连接，在发光外延叠层的投影位于非欧姆接触区；焊线电极，位于所述透明绝缘层之上，通过所述电流通道与所述扩展电极导通，其在所述发光外延叠层的投影位于所述非欧姆接触区；当注入电流时，迅速沿焊线电极下方的电流通道向发光外延叠层的欧姆接触区流通，避免所述焊线电极下方有源层灌入电流发光。
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