[发明专利]反应烧结制备碳化硅/二硅化钼复合陶瓷的方法在审
| 申请号： | 201610411966.3 | 申请日： | 2016-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN106116584A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 郭兴忠;杨辉;郑浦;高黎华 | 申请（专利权）人： | 台州东新密封有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 金祺 |
| 地址： | 317015 浙江省台*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种反应烧结制备碳化硅/二硅化钼复合陶瓷的方法，包括以下步骤：A、配制主原料：主原料由以下重量含量的成分组成：65％～75％的SiC、10％～15％的钼、15％～25％的石墨；B、将主原料均匀混合后，加入作为粘结剂的聚乙烯醇、作为分散剂的四甲基氢氧化铵，机械球磨制备碳化硅复合粉体；C、将造粒粉置于模具中采用干压一次成型，得坯体；D、将上述坯体在石墨板上整齐摆放，然后在坯体上摆放金属硅片，坯体与金属硅片的重量比1：2.5～3.5，于1500～1600℃进行高温渗硅烧结，烧结时间为3～6小时，得碳化硅/二硅化钼复合陶瓷。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 烧结 制备 碳化硅 二硅化钼 复合 陶瓷 方法 | ||
【主权项】：
反应烧结制备碳化硅/二硅化钼复合陶瓷的方法，其特征是包括以下步骤：A、配制主原料：主原料由以下重量含量的成分组成：65％～75％的SiC、10％～15％的钼、15％～25％的石墨；B、将主原料均匀混合后，加入作为粘结剂的聚乙烯醇、作为分散剂的四甲基氢氧化铵，机械球磨制备碳化硅复合粉体；所述聚乙烯醇占主原料总重的4.0％，四甲基氢氧化铵占主原料总重的1.5％；C、将造粒粉置于模具中采用干压一次成型，得坯体；D、将上述坯体在石墨板上整齐摆放，然后在坯体上摆放金属硅片，坯体与金属硅片的重量比1：2.5～3.5，于1500～1600℃进行高温渗硅烧结，烧结时间为3～6小时，得碳化硅/二硅化钼复合陶瓷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台州东新密封有限公司，未经台州东新密封有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610411966.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种全绝缘有载调压电力变压器
- 下一篇：一种方便添加钻杆的钻杆箱装置
