[发明专利]一种功率半导体器件的制备方法在审
| 申请号： | 201610405590.5 | 申请日： | 2016-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN106057656A | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 万力;冷静;可瑞思 | 申请（专利权）人： | 中航（重庆）微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 401331 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种功率半导体器件的制备方法，通过在复合硬掩膜的氮化硅去除前先做高温炉管生长牺牲氧化层的步骤，以在沟槽的底部和侧壁生长出牺牲氧化层作为保护，从而在保护初氧的同时，避免了氮化硅去除时对沟槽造成磷污染的问题，进而提升了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一形成有沟槽的半导体结构，所述半导体结构包括硅衬底、位于部分所述硅衬底之上的初氧层以及覆盖所述初氧层和所述硅衬底裸露的上表面的复合硬掩膜，且所述复合硬掩膜按照从下至上的顺序依次包括第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层；将所述第二氧化硅层移除后，于所述沟槽的底部及其侧壁形成保护层；采用磷酸去除所述氮化硅层；继续去除所述保护层和所述第一氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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