[发明专利]静电放电箝位电路有效
申请号: | 201610404711.4 | 申请日: | 2016-06-08 |
公开(公告)号: | CN106449629B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 黄伟章 | 申请(专利权)人: | 敦泰电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提出一种静电放电箝位电路,包括一静电放电装置、一静电放电触发装置、一阻隔元件。静电放电装置连接至一电源,电源具有一高电位及一接地。静电放电装置的一第一端连接于该高电位,其一第二端连接于该接地,以将该电源产生的静电放电。静电放电触发装置连接至该电源及该静电放电装置,其依据该电源的高电位,以产生一控制信号至该静电放电装置的一第三端,从而控制该静电放电装置开启或关闭,以使该静电放电装置将该电源产生的静电放电。阻隔元件连接至该静电放电触发装置及该静电放电装置,以提升静电放电装置的放电速度。 | ||
搜索关键词: | 静电 放电 箝位 电路 | ||
【主权项】:
1.一种静电放电箝位电路,包括:一静电放电装置,连接至一电源,该电源具有一高电位及一接地,该静电放电装置的一第一端连接于该高电位,其一第二端连接于该接地,以将该电源产生的静电放电,其中,该静电放电装置为一第一NMOS晶体管,该第一NMOS晶体管的一漏极连接至该高电位,其一源极连接至该接地;一静电放电触发装置,连接至该电源及经由一第三接点连接至该静电放电装置,其依据该电源的高电位,以产生一控制信号至该静电放电装置的一第三端,从而控制该静电放电装置开启或关闭,以使该静电放电装置将该电源产生的静电放电;以及一阻隔元件,连接在该静电放电触发装置及该静电放电装置之间,以提升该静电放电装置的放电速度,其中,该阻隔元件为电阻、电感、MOS晶体管或二极管,且该阻隔元件一端经由一第二接点连接至该静电放电触发装置,其另一端连接至该静电放电装置的该第二端;其中,当该电源的该高电位具有一由静电所形成的正浪涌电压时,该第二接点并非连接至该接地,该第二接点及该第三接点的电压被该由静电所形成的该浪涌电压拉高,以使该第一NMOS晶体管提早打开,从而快速放电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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