[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，该制作方法包括步骤：在衬底上通过光罩制程形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、掺杂半导体层以及源极和漏极；在形成源极和漏极后，去除源极和漏极上剩余的第一光阻层并相互间隔形成有开口，掺杂半导体层通过开口露出；在源极和漏极上涂覆第二光阻层，第二光阻层同时覆盖栅极绝缘层、源极、漏极以及从源极和漏极之间露出的掺杂半导体层；对第二光阻层进行曝光、显影，去除位于源极和漏极之间的覆盖在掺杂半导体上的第二光阻层；对露出的掺杂半导体进行蚀刻，以断开掺杂半导体层并形成相互间隔的两个部分，源极与掺杂半导体层的其中一部分电性连接，漏极与其另一部分电性连接；去除剩余的第二光阻层。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，该制作方法包括步骤：在衬底上通过光罩制程形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、掺杂半导体层以及源极和漏极；在形成该源极和该漏极后，去除该源极和该漏极上剩余的第一光阻层，其中该源极和该漏极相互间隔并形成有开口，该掺杂半导体层从该源极和该漏极之间通过该开口露出；在该源极和该漏极上涂覆第二光阻层，该第二光阻层同时覆盖该栅极绝缘层、该源极、该漏极以及从该源极和该漏极之间露出的该掺杂半导体层；对该第二光阻层进行曝光、显影，去除位于该源极和该漏极之间的覆盖在该掺杂半导体上的该第二光阻层；对露出的该掺杂半导体进行蚀刻，以断开该掺杂半导体层并形成相互间隔的两个部分，其中该源极与该掺杂半导体层的其中一部分电性连接，该漏极与该掺杂半导体层的另一部分电性连接；去除覆盖在该栅极绝缘层、该源极和该漏极上剩余的该第二光阻层，或者，去除覆盖在该栅极绝缘层上剩余的该第二光阻层。