[发明专利]双向MOSFET开关和多路复用器

摘要

本发明提供一种改进的双向MOSFET开关和多路复用器。本发明的双向MOSFET开关包括一个输入端和输出端和两个MOSFET晶体管，晶体管与源极和栅极分别彼此连接，同时输入端和输出端分别连接两个MOSFET晶体管的漏极，一具有电绝缘装置的电绝缘控制输入端与一控制器连接，控制器通过第三个MOSFET晶体管接通一FET晶体管，一与输入端连接的浮动电源通过所述第三个MOSFET晶体管向FET晶体管提供控制电流，FET晶体管通过控制电流在栅极和两个MOSFET晶体管的源极之间产生相同的栅源电压，浮动电源产生两个MOSFET‑晶体管的栅极的控制电流。对交流电压信号来说，电路拓扑结构所需的控制电流较小。

主权项

一种双向MOSFET开关，包括输入端（A）和输出端（B）以及两个MOSFET晶体管（T1，T2），两个所述MOSFET晶体管（T1，T2）源极彼此连接且栅极彼此连接，其中，输入端（A）和与其中一个所述MOSFET晶体管（T1）的漏极连接，输出端（B）与另一个所述MOSFET晶体管（T2）的输出端连接，一具有电绝缘装置（I1）的电绝缘控制输入端（D）与一控制器（C1）连接，控制器（C1）通过第三个MOSFET晶体管（T4）接通一FET晶体管（T3），一与输入端（A）连接的浮动电源（V1）通过所述第三个MOSFET晶体管（T4）向FET晶体管（T3）提供控制电流，栅极（G）和源极（S）之间通过的控制电流形成了所述两个MOSFET晶体管（T1，T2）的栅源电压，浮动电源（V1）用于产生两个所述MOSFET晶体管（T1，T2）的栅极控制电流。