[发明专利]具有通过电镀制造的金属栅的太阳能电池有效
| 申请号: | 201610402258.3 | 申请日: | 2011-05-13 |
| 公开(公告)号: | CN106057919B | 公开(公告)日: | 2017-12-26 |
| 发明(设计)人: | 傅建明;徐征;游晨涛;J·B·衡 | 申请(专利权)人: | 光城公司 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0747 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 马景辉 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明涉及具有通过电镀制造的金属栅的太阳能电池。本发明的一个实施例提供具有通过电镀制造的金属栅的太阳能电池及其制造方法。该太阳能电池包括光生伏打结构、位于光生伏打结构之上的透明导电氧化物(TCO)层、以及位于TCO层之上的前侧金属栅。TCO层与光生伏打结构的前表面接触。金属栅包括以下项中至少之一Cu和Ni。 | ||
| 搜索关键词: | 具有 通过 电镀 制造 金属 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池,包括:晶态硅衬底;分别位于所述晶态硅衬底的前侧和背侧上的前氧化硅层和背氧化硅层;分别位于所述前氧化硅层和背氧化硅层上的前缓变掺杂的无定形硅层和背缓变掺杂的无定形硅层;分别位于所述前缓变掺杂的无定形硅层和背缓变掺杂的无定形硅层上的前透明导电氧化物层和背透明导电氧化物层;以及位于所述前透明导电氧化物层和背透明导电氧化物层中的每一个上的电极栅,每个电极栅包括:通过物理气相沉积技术直接沉积到对应的透明导电氧化物层上的铜种子层,该对应的透明导电氧化物层位于所述铜种子层和对应的缓变掺杂的无定形硅层之间并且与所述铜种子层和对应的缓变掺杂的无定形硅层直接接触;位于所述铜种子层上并且与所述铜种子层直接接触的电镀的铜层,其中所述电镀的铜层和种子层被图案化以暴露出对应的透明导电氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





