[发明专利]一种基于MEMS开关的USB漏电保护芯片有效

专利信息
申请号: 201610399207.X 申请日: 2016-06-07
公开(公告)号: CN105932490B 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 张国钢;陈前;刘竞存;耿英三;王建华 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01R13/66 分类号: H01R13/66;H01R13/703
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 王萌
地址: 710049 陕*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种基于MEMS开关的USB漏电保护芯片。其基本结构由磁场产生单元、磁场检测单元、驱动单元和MEMS开关单元组成,其特点为:磁场产生单元由磁芯和绕制在磁芯的VBUS和GND线组成,其中磁芯采用铁氧体材料;磁场检测单元由霍尔元件、恒流源、放大电路和比较电路组成,霍尔元件是磁敏感元件,用于检测磁场;驱动单元用于提供MEMS开关动作所需要的较高的驱动电压;MEMS开关单元分别设置在USB接口的VBUS和GND线上。该芯片可以应用于通过USB接口充电的设备在充电过程中的漏电保护,一旦有漏电流,MEMS开关自动打开,切断充电电路。
搜索关键词: 漏电保护 磁芯 磁场产生单元 磁场检测单元 霍尔元件 驱动单元 芯片 切断充电电路 磁敏感元件 铁氧体材料 充电过程 放大电路 检测磁场 驱动电压 自动打开 恒流源 漏电流 绕制 充电 应用
【主权项】:
1.一种基于MEMS开关的USB漏电保护芯片,其特征在于:包括接在USB接口并产生磁场的磁场产生单元、检测磁场的检测单元、用于在漏电时切断电路的MEMS开关单元,以及驱动MEMS开关单元工作的驱动单元;所述的磁场产生单元为聚磁铁芯,USB接口的VBUS和GND线绕制在聚磁铁芯上;所述的检测单元利用霍尔元件检测磁场,该霍尔元件位于聚磁铁芯的正上方,保证当有磁场时,磁力线垂直于霍尔元件;所述的驱动单元为电荷泵升压模块;当设备发生漏电,则磁场产生单元产生磁场,该磁场被检测单元获取,并触发MEMS开关动作。
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