[发明专利]一种中子源在审
| 申请号： | 201610397587.3 | 申请日： | 2016-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN105869693A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 何小海;李彦;唐君;娄本超;薛小明;牟云峰;李小飞;胡永宏 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院核物理与化学研究所 |
| 主分类号： | G21G4/02 | 分类号： | G21G4/02 |
| 代理公司： | 中国工程物理研究院专利中心 51210 | 代理人： | 翟长明;韩志英 |
| 地址： | 621999 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种中子源，所述中子源采用多孔离子源，引出有特定形状及密度分布的氘离子或氘氚混合离子。每个引出孔都有对应的初始聚焦电极和加速电极，离子束完成加速后，经过电四极场，在Z方向上聚焦至所需要的小尺寸，同时在Y方向上散焦展开到一定长度，形成扇形离子束。扇形离子束轰击到移动靶上，在Y方向上，产生与小尺寸焦斑点状中子源等效的出射中子束。本发明的中子源适合应用于中子治疗、照相、爆炸物检测等对中子束有方向性和点源特性要求的领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中子源 | ||
【主权项】：
一种中子源，其特征在于，所述中子源包括多孔离子源（1）、初始聚焦电极（2）、加速电极（3）、四极透镜（5）、移动靶（6），多孔离子源（1）输出的离子束（4），通过初始聚焦电极（2）和加速电极（3）后获得额定能量，然后穿过四极透镜（5），形成扇形离子束，扇形离子束轰击移动靶（6），产生与等效焦斑（7）相同特性的出射方向中子束（8）；所述的移动靶（6）的轰击面为斜面。
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