[发明专利]晶片的生成方法

摘要

提供晶片的生成方法，经济性地生成晶片。晶片的生成方法从c面露出于上表面且具有与c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，具有如下的步骤：支承步骤，隔着楔角度为α的楔状部件利用支承工作台对六方晶单晶锭进行支承而使上表面相对于水平面倾斜偏离角α；改质层形成步骤，将对于六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在距上表面的第1深度，在与形成有偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使聚光点和六方晶单晶锭相对地移动而对上表面照射激光束，在六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；和转位步骤，使聚光点在第2方向上相对地移动而转位进给规定的量。

主权项

1.一种晶片的生成方法，从c面露出于上表面且具有与c面垂直的c轴的六方晶单晶锭生成具有α的偏离角的晶片，该晶片的生成方法的特征在于，具有如下的步骤：支承步骤，隔着楔角度为α的楔状部件利用支承工作台对该六方晶单晶锭进行支承，使该上表面相对于水平面倾斜偏离角α；第1改质层形成步骤，在实施了该支承步骤之后，将对于该六方晶单晶锭具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在从该上表面起的第1深度，并且在与形成有该偏离角α的第2方向垂直的第1方向上使该聚光点和该六方晶单晶锭相对地移动而对该上表面照射激光束，在该六方晶单晶锭的内部形成直线状的第1改质层和从该第1改质层沿着c面延伸的第1裂纹；第1转位步骤，在该第2方向上使该聚光点相对地移动而转位进给规定的量；以及初始晶片剥离步骤，以形成在该六方晶单晶锭的内部的该第1改质层和该第1裂纹为起点而将初始晶片从该六方晶单晶锭剥离，在该第1改质层形成步骤中，在令转位进给的间隔为L的情况下，将L设定为使从相邻的该直线状的第1改质层沿着该c面延伸的相邻的该第1裂纹相重叠的长度以下。