[发明专利]一种再分布层的制备方法

摘要

本发明涉及一种再分布层的制备方法，其包括如下步骤：a、提供待进行RDL工艺的晶圆器件体，所述晶圆器件体包括晶圆体以及位于所述晶圆体上的器件层；b、在上述器件层上沉积TiCu层，并在所述TiCu层上设置掩膜层；c、对上述掩膜层进行选择性地掩蔽和刻蚀，以得到贯通掩膜层的刻蚀窗口；d、在上述刻蚀窗口内进行Cu电镀，以得到电镀Cu层；e、在上述电镀Cu层上设置保护层，所述保护层覆盖在电镀Cu层上；f、去除上述的掩膜层，以得到位于TiCu层上的电镀Cu层以及保护层；g、利用上述的电镀Cu层以及保护层对TiCu层进行刻蚀，以得到与器件层匹配连接的布线结构体。

主权项

一种再分布层的制备方法，其特征是，所述再分布层制备方法包括如下步骤：（a）、提供待进行RDL工艺的晶圆器件体，所述晶圆器件体包括晶圆体（1）以及位于所述晶圆体（1）上的器件层（2）；（b）、在上述器件层（2）上沉积TiCu层（3），并在所述TiCu层（3）上设置掩膜层（4）；（c）、对上述掩膜层（4）进行选择性地掩蔽和刻蚀，以得到贯通掩膜层（4）的刻蚀窗口（5）；（d）、在上述刻蚀窗口（5）内进行Cu电镀，以得到电镀Cu层（6）；（e）、在上述电镀Cu层（6）上设置保护层（7），所述保护层（7）覆盖在电镀Cu层（6）上；（f）、去除上述的掩膜层（4），以得到位于TiCu层（3）上的电镀Cu层（6）以及保护层（7）；（g）、利用上述的电镀Cu层（6）以及保护层（7）对TiCu层（3）进行刻蚀，以得到与器件层（2）匹配连接的布线结构体。