[发明专利]半导体晶片表面真空镀膜工艺有效
| 申请号： | 201610384640.6 | 申请日： | 2016-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN106048543B | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 阮秀沧 | 申请（专利权）人： | 泉州市依科达半导体致冷科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区鼎兴专利代理事务所(普通合伙) 35217 | 代理人： | 程捷 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市泉*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体晶片表面真空镀膜工艺，其将半导体晶片表面清洁干净后，将半导体晶片放入真空溅射炉中，抽真空至1～10‑1Pa，先采用30～60%的电流对半导体晶片进行离子轰击清洗，轰击完成后抽真空至5*10‑2～5*10‑3Pa通入氩气，而后启动镍靶溅射70～90min完成镀镍，镀镍完成后启动锡靶溅射30～45min完成镀锡，其中镀镍功率为6～8 kW，离子轰击电流为13～18A。本发明采用真空镀膜工艺对半导体晶片进行表面镀膜，在保证镀层与晶片之间结合力的同时完全避免电镀过程中产生的废液排放对环境造成的严重污染，同时可防治晶片破裂，提高成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 表面 真空镀膜 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片表面真空镀膜工艺，其特征在于：其包括以下步骤：1)半导体晶片表面预清洗，以去除半导体晶片表面油污和碎屑；2)酸洗：将预清洗过的晶片放置于浓度为3～5％的酸溶液中清洗1～2min，以去除晶片表面氧化物；3)将酸洗后的半导体晶片于50℃～60℃的温水中漂洗并烘干；4)真空镀膜，将半导体晶片放入真空溅射炉中，抽真空至1～10‑1Pa，先采用30～60％的电流对半导体晶片进行离子轰击清洗，离子轰击清洗完成后抽真空至5*10‑2～5*10‑3Pa通入氩气，而后启动镍靶溅射70～90min完成镀镍，镀镍完成后启动锡靶溅射30～45min完成镀锡，其中镀镍功率为6～8kW，离子轰击电流为13～18A；镀锡功率为5～6.5kW，离子轰击电流为8～10A。
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