[发明专利]N型双面电池及其制备方法在审
| 申请号: | 201610383582.5 | 申请日: | 2016-06-01 |
| 公开(公告)号: | CN105870221A | 公开(公告)日: | 2016-08-17 |
| 发明(设计)人: | 黄纪德;蒋方丹;金浩 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
| 地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本申请公开了一种N型双面电池的制备方法,包括:S1:对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀,并去除损伤层,使得N型硅片衬底的上下表面形成凹坑绒面层;S2:在炉管中对N型硅片衬底的一面进行硼扩散形成P型层,作为N型双面电池的正面;S3:去除硼硅玻璃,并在N型双面电池的正面制作掩膜;S4:在炉管中对N型硅片衬底的另一面进行磷扩散小形成N+层,作为N型双面电池的背面;S5:去除边结、磷硅玻璃以及N型双面电池的正面制作的掩膜;S6:分别在N型双面电池的正面和所述N型双面电池的背面制作电极,获得N型双面电池。N型双面电池的制备方法提高了N型双面电池的光利用率和光电转换效率。本申请还公开了一种N型双面电池。 | ||
| 搜索关键词: | 双面 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种N型双面电池的制备方法,其特征在于,包括:S1:对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀,并去除损伤层,使得所述N型硅片衬底的上下表面形成凹坑绒面层;S2:在炉管中对所述N型硅片衬底的一面进行硼扩散形成P型层,作为N型双面电池的正面;S3:去除硼硅玻璃,并在所述N型双面电池的正面制作掩膜;S4:在炉管中对所述N型硅片衬底的另一面进行磷扩散形成N+层,作为N型双面电池的背面;S5:去除边结、磷硅玻璃以及所述N型双面电池的正面制作的掩膜;S6:分别在所述N型双面电池的正面和所述N型双面电池的背面制作电极,获得N型双面电池。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





