[发明专利]N型双面电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201610383582.5 申请日: 2016-06-01
公开(公告)号: CN105870221A 公开(公告)日: 2016-08-17
发明(设计)人: 黄纪德;蒋方丹;金浩 申请(专利权)人: 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司
主分类号: H01L31/0236 分类号: H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 罗满
地址: 314416 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请公开了一种N型双面电池的制备方法,包括:S1:对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀,并去除损伤层,使得N型硅片衬底的上下表面形成凹坑绒面层;S2:在炉管中对N型硅片衬底的一面进行硼扩散形成P型层,作为N型双面电池的正面;S3:去除硼硅玻璃,并在N型双面电池的正面制作掩膜;S4:在炉管中对N型硅片衬底的另一面进行磷扩散小形成N+层,作为N型双面电池的背面;S5:去除边结、磷硅玻璃以及N型双面电池的正面制作的掩膜;S6:分别在N型双面电池的正面和所述N型双面电池的背面制作电极,获得N型双面电池。N型双面电池的制备方法提高了N型双面电池的光利用率和光电转换效率。本申请还公开了一种N型双面电池。
搜索关键词: 双面 电池 及其 制备 方法
【主权项】:
一种N型双面电池的制备方法,其特征在于,包括:S1:对N型硅片衬底的上下表面进行反应离子刻蚀,并去除损伤层,使得所述N型硅片衬底的上下表面形成凹坑绒面层;S2:在炉管中对所述N型硅片衬底的一面进行硼扩散形成P型层,作为N型双面电池的正面;S3:去除硼硅玻璃,并在所述N型双面电池的正面制作掩膜;S4:在炉管中对所述N型硅片衬底的另一面进行磷扩散形成N+层,作为N型双面电池的背面;S5:去除边结、磷硅玻璃以及所述N型双面电池的正面制作的掩膜;S6:分别在所述N型双面电池的正面和所述N型双面电池的背面制作电极,获得N型双面电池。
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