[发明专利]湿式基板处理装置及衬垫件有效
| 申请号： | 201610382143.2 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN106206374B | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 丰村直树;宫崎充;国泽淳次 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 31210 | 代理人： | 张丽颖;高永志 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 使用于对基板进行真空吸附的工作台的小孔尽量不吸入处理液。提供用于对基板进行处理的湿式基板处理装置。该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在工作台上的基板供给处理液。工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于支撑面；第二开口部，形成于支撑面，被配置为至少局部性地包围第一开口部；第一流体通路，穿过工作台而延伸到支撑面的第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及第二流体通路，穿过工作台而延伸到支撑面的第二开口部，构成为能够排出处理液。 | ||
| 搜索关键词： | 湿式基板 处理 装置 衬垫 | ||
【主权项】：
一种湿式基板处理装置，用于对基板进行处理，其特征在于，该湿式基板处理装置具有：工作台，用于保持基板；以及处理液供给机构，用于对保持在所述工作台上的基板供给处理液，所述工作台具有：支撑面，用于支撑基板；第一开口部，形成于所述支撑面；第二开口部，形成于所述支撑面，被配置为至少局部地包围所述第一开口部；第一流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第一开口部，构成为能够与真空源连接；以及第二流体通路，穿过所述工作台而延伸到所述支撑面的所述第二开口部，构成为能够使所述第二开口部向大气开放。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
