[发明专利]一种不可见光发光二极管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201610381153.4 申请日: 2016-06-01
公开(公告)号: CN105845793B 公开(公告)日: 2017-12-22
发明(设计)人: 吴超瑜;吴俊毅;黄俊凯;王笃祥 申请(专利权)人: 天津三安光电有限公司
主分类号: H01L33/02 分类号: H01L33/02;H01L33/44;H01L33/30;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 300384 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开了一种不可见光发光二极管及其制作方法,所述发光二极管包括N型欧姆接触半导体层、N型电流扩散层、N‑GaAs可见光吸收层、N型覆盖层、发光层、P型覆盖层和P型欧姆接触半导体层。本发明所述不可见光发光二极管采用GaAs作为吸收层,在电流密度>1A/mm2情况下,可以完全有效的去除可见光部分,尤其是在3A/mm2电流密度以下都没看到可见光部分,有效解决了不可见光发光二极管的红爆现象。
搜索关键词: 一种 可见光 发光二极管 及其 制作方法
【主权项】:
一种不可见光发光二极管,依次包括:电流扩散层、GaAs可见光吸收层、第一类型覆盖层、发光层、第二类型覆盖层,所述GaAs可见光吸收层的厚度为20nm以上,当发光层的输入电流密度≥1 A/mm2时,所述发光二极管的可见光比例<0.2%。
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