[发明专利]一种改善TBCC用SERN的组合流动控制方法及结构在审
申请号: | 201610378299.3 | 申请日: | 2016-05-30 |
公开(公告)号: | CN106014684A | 公开(公告)日: | 2016-10-12 |
发明(设计)人: | 张明阳;周莉;王占学;祁少波;史经纬;孙啸林 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | F02K1/28 | 分类号: | F02K1/28;F02K1/78 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710000 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种改善TBCC用SERN的组合流动控制方法及结构,本发明在SERN的上膨胀斜面加入无源腔结构,同时在SERN的下斜板开设收敛形二次流喷口;在不明显增加所需控制能量的前提下,采用简单的无源腔结构及二次流喷射装置实现过膨胀状态时斜激波位置的控制,进而改善喷管在单斜面上的压力分布,提高SERN在过膨胀状态下的推力系数,改善吸气式高超声速推进系统在跨声速阶段的推力性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 tbcc sern 组合 流动 控制 方法 结构 | ||
【主权项】:
一种改善TBCC用SERN的组合流动控制方法及结构,其特征在于,在单斜面膨胀喷管的下斜板尾缘处的收敛形二次流喷口,在下斜板上表面喷射二次流,在喷口前形成一道弓形激波,弓形激波穿过整个喷管内流场与上膨胀斜面相交,激波和边界层的相互作用引起上膨胀斜面气流的分离。位于上膨胀斜面的无源腔连通了诱导激波上、下游压力,使得上膨胀斜面诱导激波附近流动形态发生改变;激波后低速附面层气流在激波前后压差压力作用下流入无源腔腔体中,通过激波前的气孔被吹出腔外,与激波前附面层相互作用改变了原始激波根部的流动形态与压力分布,将诱导激波前推至无源腔的第一个孔处,此时激波后的分离区域也相应增大,并形成稳定的回流区。
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