[发明专利]控制反向导电的IGBT有效
| 申请号： | 201610371689.8 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206701B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | J·G·拉文;R·巴布斯克;H·佩廷格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 提出了一种用于控制第一开关和第二开关的方法，其中，每个开关是RC‑IGBT，并且其中，这两个开关被布置为半桥电路。方法包括：控制IGBT模式中的第一开关；控制第二开关，使得其在DIODE模式中时变为去饱和；其中对第二开关的控制开始在第一开关将第一开关的IGBT模式从阻断状态改变到导电状态之前并且至少持续得与第一开关将第一开关的IGBT模式从阻断状态改变到导电状态一样长。 | ||
| 搜索关键词： | 控制 反向 导电 igbt | ||
【主权项】：
1.一种用于控制第一开关和第二开关的方法，其中每个开关是反向导电绝缘栅双极型晶体管RC‑IGBT，并且其中这两个开关被布置为半桥电路，所述方法包括：‑控制绝缘栅双极型晶体管IGBT模式中的所述第一开关；‑控制所述第二开关，使得所述第二开关在二极管DIODE模式中时变为去饱和；其中对所述第二开关的控制开始在所述第一开关将所述第一开关的IGBT模式从阻断状态改变到导电状态之前并且至少持续得与所述第一开关将所述第一开关的IGBT模式从阻断状态改变到导电状态一样长，其中所述第一开关和所述第二开关以脉冲宽度调制方式以高于负载电流的频率的开关频率被控制。
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