[发明专利]一种氨苄西林分子印迹传感器的制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201610371665.2 申请日: 2016-05-30
公开(公告)号: CN105866211B 公开(公告)日: 2018-06-22
发明(设计)人: 刘红云;廉文静 申请(专利权)人: 北京师范大学;北京师大科技园科技发展有限责任公司
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;G01N33/15
代理公司: 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 代理人: 刘继富;王春伟
地址: 100875 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明实施例公开了一种氨苄西林分子印迹传感器的制备方法及应用,其中氨苄西林分子印迹传感器的制备方法包括:(1)对惰性电极预处理;(2)将共聚合单体吡咯、鲁米诺及模板分子氨苄西林溶于pH值为4~7的缓冲溶液中,得到聚合液,其中,共聚合单体吡咯与鲁米诺的物质的量的比为(1~8):1;吡咯与氨苄西林的物质的量的比为1:(1~6);(3)将预处理后的惰性电极置于聚合液中采用循环伏安法进行电聚合,在所述惰性电极表面得到结合有氨苄西林的吡咯‑鲁米诺共聚物膜;(4)用洗脱剂去除共聚物膜所结合的氨苄西林,得到氨苄西林分子印迹传感器。所制备的氨苄西林分子印迹传感器具有检测灵敏度高、发光效率高等特点。
搜索关键词: 氨苄西林 分子印迹传感器 吡咯 制备 惰性电极 鲁米诺 预处理 共聚物膜 共聚合 聚合液 检测灵敏度 循环伏安法 发光效率 缓冲溶液 模板分子 电聚合 洗脱剂 去除 应用
【主权项】:
1.一种氨苄西林分子印迹传感器的制备方法,其特征在于,包括:(1)对惰性电极预处理;(2)将共聚合单体吡咯、鲁米诺及模板分子氨苄西林溶于pH值为4~7的缓冲溶液中,得到聚合液,其中,共聚合单体吡咯与鲁米诺的物质的量的比为(1~8):1;吡咯与氨苄西林的物质的量的比为1:(1~6);(3)将预处理后的惰性电极置于聚合液中采用循环伏安法进行电聚合,在所述惰性电极表面得到结合有氨苄西林的吡咯‑鲁米诺共聚物膜;(4)用洗脱剂去除共聚物膜所结合的氨苄西林,得到氨苄西林分子印迹传感器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京师范大学;北京师大科技园科技发展有限责任公司,未经北京师范大学;北京师大科技园科技发展有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610371665.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top