[发明专利]电子器件、薄膜晶体管、以及阵列基板及其制作方法有效
| 申请号： | 201610365811.0 | 申请日： | 2016-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105914134B | 公开（公告）日： | 2017-07-04 |
| 发明（设计）人： | 王美丽 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 焦玉恒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种电子器件及其制作方法、薄膜晶体管的制作方法、以及阵列基板及其制作方法。该电子器件的制作方法，包括在衬底基板上形成金属结构；在金属结构和衬底基板上形成无氧绝缘层；以及在无氧绝缘层上形成绝缘保护层。该电子器件的制作方法通过在金属结构上形成不含氧元素的无氧绝缘层，从而保护金属结构，防止金属结构被氧化。 | ||
| 搜索关键词： | 电子器件 薄膜晶体管 以及 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电子器件的制作方法，包括：在衬底基板上形成金属结构；在所述金属结构和所述衬底基板上形成无氧绝缘层；以及在所述无氧绝缘层上形成绝缘保护层，其中，所述无氧绝缘层使用硅烷形成，所述电子器件的制作方法还包括：在所述金属结构下方形成半导体；以及在形成所述无氧绝缘层的过程中，所述硅烷释放出氢将所述半导体与所述无氧绝缘层接触的部分导体化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
