[发明专利]一种复合相变薄膜材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201610363525.0 | 申请日： | 2016-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN105870323A | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郑龙;朱小芹;邹华;吴卫华;胡益丰;袁丽;刘波;薛建忠;张建豪;眭永兴;翟良君;裴明旭 | 申请（专利权）人： | 江苏理工学院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C23C14/06;C23C14/14;C23C14/35;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人： | 刘岩 |
| 地址： | 213001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可用于相变存储器的相变速率、热稳定性优秀的复合相变薄膜材料(Ge/Ge2Sb2Te5)n及其制备方法。薄膜材料为(Ge/Ge2Sb2Te5)n，其由n组Ge/Ge2Sb2Te5复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括一层Ge纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜；除最外层Ge2Sb2Te5薄膜外，其余Ge2Sb2Te5薄膜的两侧表面均处于富Ge环境，使得Ge2Sb2Te5更有可能处于四面体结构而不是缺陷的八面体结构，从而有效的调控其相变特性。与现有的相变存储材料Ge2Sb2Te5相比，本发明提供的Ge/Ge2Sb2Te5新型复合相变薄膜能够实现更高的、可调控的结晶温度，更快的、可调控的结晶速率以及良好的热稳定性与数据保持力，同时还可以提供较高的晶态电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 相变 薄膜 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种复合相变薄膜材料，其特征在于：所述薄膜材料为(Ge/Ge2Sb2Te5)n，其由n组Ge/Ge2Sb2Te5复合薄膜单元组成，每一组复合薄膜单元包括一层Ge纳米薄膜和一层Ge2Sb2Te5纳米薄膜；除最外层Ge2Sb2Te5薄膜外，其余Ge2Sb2Te5薄膜的两侧表面均处于富Ge环境。
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