[发明专利]一种可电压调制微带隙的半导体量子阱结构在审
| 申请号： | 201610356892.8 | 申请日： | 2016-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106025022A | 公开（公告）日： | 2016-10-12 |
| 发明（设计）人： | 魏相飞;张忠义 | 申请（专利权）人： | 皖西学院 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30;H01L31/0304;H01L31/0352;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 汤东凤 |
| 地址： | 2370*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可电压调制微带隙的半导体量子阱结构。它包括第一量子阱层、第二量子阱层、第三量子阱层和第四量子阱层，第一量子阱层和第四量子阱层材料均为AlSb，第二量子阱层材料为InAs，第三量子阱层材料为GaSb，第一量子阱层和第四量子阱层厚度分别为5‑40 nm，第二量子阱层厚度为5‑40 nm，第三量子阱层厚度为5‑20 nm，还包括外加门电压。相对于用改变量子阱的厚度来调制微带隙，本发明用门电压调制微带隙更加方便可靠，并且可以精确确定费米能级的位置和微带隙的大小，从而进一步确定费米能级的调制范围。本发明可在基于InAs/GaSb的半导体量子阱系统拓扑绝缘体性质的研究和器件方面获得广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 调制 微带 半导体 量子 结构 | ||
【主权项】：
一种可电压调制微带隙的半导体量子阱结构，其特征在于，包括第一量子阱层、第二量子阱层、第三量子阱层和第四量子阱层，第一量子阱层和第四量子阱层材料均为AlSb，第二量子阱层材料为InAs，第三量子阱层材料为GaSb，第一量子阱层和第四量子阱层厚度分别为5‑40 nm，第二量子阱层厚度为5‑40 nm，第三量子阱层厚度为5‑20 nm，电子被限制在第二量子阱层，空穴被限制在第三量子阱层，电子和空穴在空间上是分离的，还包括用于调控电子和空穴的子带能级以及波函数的分离和耦合的外加门电压。
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