[发明专利]原子层氧化物薄膜沉积设备在审
| 申请号： | 201610356792.5 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105895513A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 范荣伟;陈宏璘;龙吟;袁增艺 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/44;C23C16/458;C23C16/54;C23C16/513 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种原子层氧化物薄膜沉积设备，包括：基座和喷淋头，所述基座用于放置半导体衬底，所述喷淋头用于向半导体衬底的正面提供反应气体，还包括：屏蔽环，环绕半导体衬底的背面设置，用于在原子层氧化物薄膜沉积工艺时将半导体衬底的背面与反应气体进行隔离屏蔽。本发明解决了原子层氧化物薄膜沉积工艺在半导体衬底背面形成的不均匀的薄膜沉积问题，改善了半导体器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 原子 氧化物 薄膜 沉积 设备 | ||
【主权项】：
一种原子层氧化物薄膜沉积设备，包括：基座和喷淋头，所述基座用于放置半导体衬底，所述喷淋头用于向半导体衬底的正面提供反应气体，其特征在于，还包括：屏蔽环，环绕半导体衬底的背面设置，用于在原子层氧化物薄膜沉积工艺时将半导体衬底的背面与反应气体进行隔离屏蔽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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